Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ
Categorie:
Anno:
2001
Casa editrice:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Lingua:
russian
Pagine:
18
File:
PDF, 505 KB
IPFS:
,
russian, 2001
Litres
Vuole aggiungere una libreria? Contattaci su support@z-lib.do
Converti i file
Più risultati di ricerca
Altri vantaggi 
Termini più frequenti
Liste di libri correlati
